Calibre Mask Process Correction（MPC）提供了专门为电子束掩模书写器开发的优化。新的校正和建模功能提高了高级节点的掩模CD线性度和一致性，尤其是对于较小的特征尺寸（如SRAFs）
软件说明
Calibre nmMPC通过基于密度的偏置模型和基于物理掩模测量的可变蚀刻偏置（VEB）校准模型的组合处理长、中、短程效应。Calibre nmMPC还包括与Calibre workbench集成的掩模模型构建和定制工具。
Calibre掩模工艺校正解决方案应用了Mentor基于模型的OPC技术，并针对电子束掩模书写器进行了优化。新的校正和建模功能，包括基于密度和可变蚀刻偏置建模，改善了高级节点的掩模CD线性度和均匀性。该解决方案还包括与Calibre Workbench集成的面具模型构建和定制工具。为了完善Mentor的完整掩模合成解决方案，Calibre平台包括用于掩模规则检查和签署的工具，以及用于领先的电子束掩模写入设备的断裂和数据转换。