Calibre MPCpro是一种针对电子束光刻和掩模蚀刻工艺引入的系统误差的解决方案，基于Calibre OPCpro技术进行光学工艺校正。Calibre MPCpro可纠正雾化、显影和蚀刻加载等工艺效应，以及ebeam邻近效应
软件说明
口径MPCpro
在32纳米节点之前，使用193纳米光刻技术制作掩模所涉及的失真很小，影响也很小，因为掩模特征比模具上的实际特征大四倍。传统的OPC主要解决晶圆图像传输问题，仅将掩模制作效果作为整个OPC模型的一部分。准确制作32/22 nm的掩模现在需要对掩模制作步骤进行专门的光学邻近校正。与将掩模误差集中到整个OPC模型中不同，将掩模校正与晶圆校正分离可以简化校正过程并提高整体结果的质量。
Calibre掩模工艺校正解决方案应用了Mentor基于模型的OPC技术，并针对电子束掩模书写器进行了优化。新的校正和建模功能，包括基于密度和可变蚀刻偏置建模，改善了高级节点的掩模CD线性度和均匀性。该解决方案还包括与Calibre Workbench集成的面具模型构建和定制工具。为了完善Mentor的完整掩模合成解决方案，Calibre平台包括用于掩模规则检查和签署的工具，以及用于领先的电子束掩模写入设备的断裂和数据转换。